LSIC1MO170E1000數據表
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制造商 Littelfuse Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 15V, 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1Ohm @ 2A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15nC @ 20V Vgs（最大） +22V, -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 200pF @ 1000V FET功能 - 功耗（最大值） 54W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3L 包裝/箱 TO-247-3 |
