MB85R1001ANC-GE1數據表
|
制造商 Fujitsu Electronics America, Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FRAM 技術 FRAM (Ferroelectric RAM) 內存大小 1Mb (128K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 150ns 訪問時間 150ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 供應商設備包裝 48-TSOP |
