MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1數據表
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Fujitsu Electronics
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MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1, MB85RS2MTAPH-G-JNE2
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Fujitsu Electronics 制造商 Fujitsu Electronics America, Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FRAM 技術 FRAM (Ferroelectric RAM) 內存大小 2Mb (256K x 8) 內存接口 SPI 時鐘頻率 40MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.8V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP |
Fujitsu Electronics 制造商 Fujitsu Electronics America, Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FRAM 技術 FRAM (Ferroelectric RAM) 內存大小 2Mb (256K x 8) 內存接口 SPI 時鐘頻率 40MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.8V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝 8-DIP |