MCH3209-TL-E數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 155mV @ 75mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 500mA, 2V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 450MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 3-MCPH |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 155mV @ 75mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 500mA, 2V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 380MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 3-MCPH |
