MCH3479-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.8nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 260pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 900mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-70FL/MCPH3 包裝/箱 3-SMD, Flat Leads |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.8nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 260pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 900mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-70FL/MCPH3 包裝/箱 3-SMD, Flat Leads |
