MCH6605-TL-E數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 140mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 22Ohm @ 40mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.32nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6.2pF @ 10V 功率-最大 800mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝 6-MCPH |
