MII100-12A3數據表
![MII100-12A3數據表 頁面 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/21/mii100-12a3-0001.webp)
![MII100-12A3數據表 頁面 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/21/mii100-12a3-0002.webp)
![MII100-12A3數據表 頁面 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/21/mii100-12a3-0003.webp)
![MII100-12A3數據表 頁面 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/21/mii100-12a3-0004.webp)
![MII100-12A3數據表 頁面 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/21/mii100-12a3-0005.webp)
![MII100-12A3數據表 頁面 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/21/mii100-12a3-0006.webp)
制造商 IXYS 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 135A 功率-最大 560W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.7V @ 15V, 75A 當前-集電極截止(最大值) 5mA 輸入電容(Cies)@ Vce 5.5nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Y4-M5 供應商設備包裝 Y4-M5 |