MJD122T4數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 4V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 1000 @ 4A, 4V 功率-最大 1.75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 4V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 1000 @ 4A, 4V 功率-最大 1.75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 4V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 1000 @ 4A, 4V 功率-最大 20W 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 4V @ 8A, 80mA 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 1000 @ 4A, 4V 功率-最大 1.75W 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 4V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 1000 @ 4A, 4V 功率-最大 1.75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 4V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 1000 @ 4A, 4V 功率-最大 1.75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 4V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 1000 @ 4A, 4V 功率-最大 1.75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 4V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) 10µA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 1000 @ 4A, 4V 功率-最大 1.75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |