MJD45H11T4數據表
|
制造商 STMicroelectronics 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值） 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 4A, 1V 功率-最大 20W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
制造商 STMicroelectronics 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止（最大值） 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 4A, 1V 功率-最大 20W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
