MJE180PWD數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.7V @ 600mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 100mA, 1V 功率-最大 1.5W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.7V @ 600mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 100mA, 1V 功率-最大 1.5W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.7V @ 600mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 100mA, 1V 功率-最大 1.5W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.7V @ 600mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 100mA, 1V 功率-最大 1.5W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
