MMUN2241LT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 100 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 246mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 100 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 254mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-1123 供應商設備包裝 SOT-1123 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 100 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 260mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-723 供應商設備包裝 SOT-723 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 100 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 338mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SC-59 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 100 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 SC-75 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 100 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 202mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 SC-70-3 (SOT323) |
