MRF5812GR1數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V 頻率-過渡 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 2dB ~ 3dB @ 500MHz 增益 13dB ~ 15.5dB 功率-最大 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V 頻率-過渡 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 2dB ~ 3dB @ 500MHz 增益 13dB ~ 15.5dB 功率-最大 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
