MSD42SWT1數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 2mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 25 @ 1mA, 10V 功率-最大 150mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 SC-70-3 (SOT323) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 2mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 25 @ 1mA, 10V 功率-最大 150mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 SC-70-3 (SOT323) |
