MSM51V18165F-60T3數據表
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Rohm Semiconductor
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MSM51V18165F-60T3, MSM51V18165F-60J3-7

















制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 104ns 訪問時間 30ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads 供應商設備包裝 50-TSOP |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 104ns 訪問時間 30ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 - 供應商設備包裝 42-SOJ |