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MSQ1PJHM3/H數據表

MSQ1PJHM3/H數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了4零件號: MSQ1PJHM3/H, MSQ1PGHM3/H, MSQ1PG-M3/H, MSQ1PJ-M3/H
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MSQ1PJHM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

650ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

MicroSMP

供應商設備包裝

MicroSMP (DO-219AD)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

MSQ1PGHM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

650ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

MicroSMP

供應商設備包裝

MicroSMP (DO-219AD)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

MSQ1PG-M3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

eSMP®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

650ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

MicroSMP

供應商設備包裝

MicroSMP (DO-219AD)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

MSQ1PJ-M3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

eSMP®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

650ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

MicroSMP

供應商設備包裝

MicroSMP (DO-219AD)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C