MT41J256M8HX-15E AIT:D數據表
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3 內存大小 2Gb (256M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 667MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 13.5ns 電壓-供電 1.425V ~ 1.575V 工作溫度 -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-TFBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (9x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3 內存大小 2Gb (256M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 667MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 13.5ns 電壓-供電 1.425V ~ 1.575V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-TFBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (9x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3 內存大小 2Gb (128M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 667MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 13.5ns 電壓-供電 1.425V ~ 1.575V 工作溫度 -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 96-TFBGA 供應商設備包裝 96-FBGA (9x14) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3 內存大小 2Gb (128M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 667MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 13.5ns 電壓-供電 1.425V ~ 1.575V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 96-TFBGA 供應商設備包裝 96-FBGA (9x14) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3 內存大小 1Gb (64M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 667MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.425V ~ 1.575V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 96-FBGA 供應商設備包裝 96-FBGA (9x15.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3 內存大小 1Gb (256M x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 667MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.425V ~ 1.575V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-FBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (9.5x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3 內存大小 1Gb (64M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 533MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.425V ~ 1.575V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 96-FBGA 供應商設備包裝 96-FBGA (9x15.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3 內存大小 1Gb (128M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 667MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.425V ~ 1.575V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-FBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (9.5x11.5) |
