MT41K512M8RH-125 V:E TR數據表
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3L 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 800MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 13.75ns 電壓-供電 1.283V ~ 1.45V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-TFBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (9x10.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3L 內存大小 4Gb (256M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 800MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 13.75ns 電壓-供電 1.283V ~ 1.45V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 96-TFBGA 供應商設備包裝 96-FBGA (9x14) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3L 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 800MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 13.75ns 電壓-供電 1.283V ~ 1.45V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-TFBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (9x10.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR3L 內存大小 4Gb (256M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 800MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 13.75ns 電壓-供電 1.283V ~ 1.45V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 96-TFBGA 供應商設備包裝 96-FBGA (9x14) |
