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MT47H512M4THN-3:H數據表

MT47H512M4THN-3:H數據表
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Micron Technology Inc.
此數據表涵蓋了2零件號: MT47H512M4THN-3:H, MT47H512M4THN-25E:H
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MT47H512M4THN-3:H

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

2Gb (512M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-FBGA

供應商設備包裝

63-FBGA (9x11.5)

MT47H512M4THN-25E:H

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

2Gb (512M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-TFBGA

供應商設備包裝

63-FBGA (8x10)