MUN5112DW1T1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22kOhms 電阻-發射極基（R2） 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22kOhms 電阻-發射極基（R2） 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 500mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 SOT-563 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22kOhms 電阻-發射極基（R2） 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22kOhms 電阻-發射極基（R2） 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 408mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-963 供應商設備包裝 SOT-963 |
