NDBA100N10BT4H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V, 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.9mOhm @ 50A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 35nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2950pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 110W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
