NDPL180N10BG數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 180A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V, 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3mOhm @ 15V, 50A Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 95nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6950pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 2.1W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
