NGTB03N60R2DT4G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 9A 電流-集電極脈沖（Icm） 12A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.1V @ 15V, 3A 功率-最大 49W 開關能量 50µJ (on), 27µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 17nC 25°C時的Td（開/關） 27ns/59ns 測試條件 300V, 3A, 30Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 65ns 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
