NGTB25N120LWG數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 50A 電流-集電極脈沖（Icm） 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.3V @ 15V, 25A 功率-最大 192W 開關能量 3.4mJ (on), 800µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 200nC 25°C時的Td（開/關） 89ns/235ns 測試條件 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247 |
