NGTB30N60L2WG數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 600V 當前-集電極(Ic)(最大值) 100A 電流-集電極脈沖(Icm) 60A Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 1.6V @ 15V, 30A 功率-最大 225W 開關能量 310µJ (on), 1.14mJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 166nC 25°C時的Td(開/關) 100ns/390ns 測試條件 300V, 30A, 30Ohm, 15V 反向恢復時間(trr) 70ns 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247-3 |