NGTB50N65S1WG數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 650V 當前-集電極（Ic）（最大值） 140A 電流-集電極脈沖（Icm） 140A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.45V @ 15V, 50A 功率-最大 300W 開關能量 1.25mJ (on), 530µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 128nC 25°C時的Td（開/關） 75ns/128ns 測試條件 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 70ns 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247 |
