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NGTG20N60L2TF1G數據表

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ON Semiconductor
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NGTG20N60L2TF1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.65V @ 15V, 20A

功率-最大

64W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

84nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/193ns

測試條件

300V, 20A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

供應商設備包裝

-