NP100N055PUK-E1-AY數據表
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 100A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3.25mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 120nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 7350pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1.8W (Ta), 176W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-263 (D²Pak) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 100A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 120nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 7050pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1.8W (Ta), 176W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-263 包裝/箱 TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |