NP50P03YDG-E1-AY數據表
|
制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 96nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3500pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1W (Ta), 102W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-HSON 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
