NP60N04MUG-S18-AY數據表
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Renesas Electronics America
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NP60N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 60A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 6.3mOhm @ 30A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 60nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3200pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1.8W (Ta), 88W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 |