NP60N055NUK-S18-AY數據表
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Renesas Electronics America
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NP60N055NUK-S18-AY, NP60N055MUK-S18-AY
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 63nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3750pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta), 105W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-262 包裝/箱 TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 63nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3750pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta), 105W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 |
