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NRVB830MFST1G數據表

NRVB830MFST1G數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了4零件號: NRVB830MFST1G, NRVB830MFST3G, MBR830MFST3G, MBR830MFST1G
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NRVB830MFST1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

NRVB830MFST3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

MBR830MFST3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

MBR830MFST1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C