NSS60101DMTTBG數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 180mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 500mA, 2V 功率-最大 2.27W 頻率-過渡 180MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 6-WDFN (2x2) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 180mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 500mA, 2V 功率-最大 2.27W 頻率-過渡 180MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 6-WDFN (2x2) |
