NST856BF3T5G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 65V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 800mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 220 @ 2mA, 5V 功率-最大 290mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-1123 供應商設備包裝 SOT-1123 |
