NSV1C301ET4G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 500mA, 2V 功率-最大 2.1W 頻率-過渡 120MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 1A, 2V 功率-最大 2.1W 頻率-過渡 120MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 1A, 2V 功率-最大 2.1W 頻率-過渡 120MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK |