NSV40302PDR2G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN, PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 115mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 180 @ 1A, 2V 功率-最大 653mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOIC |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN, PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 115mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 180 @ 1A, 2V 功率-最大 653mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOIC |
