NSV9435T1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 125 @ 800mA, 1V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 550mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 110MHz 功率-最大 720mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 (TO-261) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 125 @ 800mA, 1V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 550mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 110MHz 功率-最大 720mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 |
