NSVIMD10AMT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 13kOhms, 130Ohms 電阻-發射極基（R2） 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 285mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 SC-74R |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 13kOhms, 130Ohms 電阻-發射極基（R2） 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 285mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 SC-74R |
