NTGD3147FT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值） 1W (Ta) 工作溫度 -25°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 |
