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ON Semiconductor
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NTGD4169FT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

295pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-25°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-TSOP

包裝/箱

SOT-23-6