NTGD4169FT1G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 2.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 5.5nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 295pF @ 15V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗(最大值) 900mW (Ta) 工作溫度 -25°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SOT-23-6 |