NTHL080N120SC1數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 110mOhm @ 20A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 4.3V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 56nC @ 20V Vgs（最大） +25V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1670pF @ 800V FET功能 - 功耗（最大值） 348W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
