NTMFS5C404NLTWFT1G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) - 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 0.75mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 181nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 12168pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.9W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) - 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 0.75mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 181nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 12168pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.9W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) - 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 0.75mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 181nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 12168pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.9W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) - 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 0.75mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 181nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 12168pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.9W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Ta), 330A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 143nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 8862pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.8W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Ta), 330A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 143nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 8862pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.8W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Ta), 330A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 143nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 8862pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.8W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Ta), 330A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 143nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 8862pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.8W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |