NTP8G202NG數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs 350mOhm @ 5.5A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID 2.6V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 9.3nC @ 4.5V Vgs（最大） ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 760pF @ 400V FET功能 - 功耗（最大值） 65W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
