NTR3C21NZT3G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 24mOhm @ 5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.8nC @ 4.5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1540pF @ 16V FET功能 - 功耗(最大值) 470mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 24mOhm @ 5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.8nC @ 4.5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1540pF @ 16V FET功能 - 功耗(最大值) 470mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |