NTS2101PT1數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6.4nC @ 5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 640pF @ 8V FET功能 - 功耗（最大值） 290mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-70-3 (SOT323) 包裝/箱 SC-70, SOT-323 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6.4nC @ 5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 640pF @ 8V FET功能 - 功耗（最大值） 290mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-70-3 (SOT323) 包裝/箱 SC-70, SOT-323 |
