NTTFS5826NLTWG數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 24mOhm @ 7.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 25nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 850pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.1W (Ta), 19W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-WDFN (3.3x3.3) 包裝/箱 8-PowerWDFN |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 24mOhm @ 7.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 25nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 850pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.1W (Ta), 19W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-WDFN (3.3x3.3) 包裝/箱 8-PowerWDFN |