NVMFS5113PLWFT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10A (Ta), 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 14mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 83nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4400pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.8W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN, 5 Leads |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10A (Ta), 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 14mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 83nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4400pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.8W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
