NVMYS4D1N06CLTWG數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 22A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 34nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2200pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.7W (Ta), 79W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 LFPAK4 (5x6) 包裝/箱 SOT-1023, 4-LFPAK |
