NXPSC08650DJ數據表
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制造商 WeEn Semiconductors 系列 - 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 650V 電流-平均整流（Io） 8A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 8A 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 230µA @ 650V 電容@ Vr，F 260pF @ 1V, 1MHz 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 DPAK 工作溫度-結點 175°C (Max) |
