PBLS2002S數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA, 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V, 20V 電阻-基本（R1） 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2） 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 1µA, 100nA 頻率-過渡 100MHz 功率-最大 1.5W 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
