PBRN123YS數據表
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 800mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V 電阻-基本(R1) 2.2 kOhms 電阻-發射極基(R2) 10 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 500 @ 300mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 700mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 600mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V 電阻-基本(R1) 2.2 kOhms 電阻-發射極基(R2) 10 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 500 @ 300mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SMT3; MPAK |
Nexperia 制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 600mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V 電阻-基本(R1) 2.2 kOhms 電阻-發射極基(R2) 10 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 500 @ 300mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 TO-236AB |